Rasterkraftmikroskopie

Mit diesem Prüfverfahren können Oberflächenstrukturen im Nanometer Bereich abgebildet oder Oberflächenkräfte im nN gemessen werden. Die Wechselwirkung zwischen der Messspitze und der Oberfläche der zu untersuchenden Probe wird auf einen Cantilever übertragen, mit einem Laser bestrahlt und auf eine Photodiode reflektiert.